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潔凈室技術的發(fā)展
一，國際上空氣潔凈技術的發(fā)展
第一階段是朝鮮戰(zhàn)爭中美國發(fā)現(xiàn)其大量電子儀器失靈出故障，其中16萬個設備就需要一百多萬個替換電子元件，有84%的雷達失效，48%的水聲測位儀失效，陸軍65%~75%的電子設備失效，并且每年的維修費用超出原價2倍，而5年中空軍電子設備的維修費用是設備原價的10倍多。最終，美軍找到了主要原因是灰塵作怪，這促成了空氣潔凈技術的起步，特別是高效過濾器的誕生。
第二階段，1957年前蘇聯(lián)第一顆人造衛(wèi)星上天后，刺激美國加速發(fā)展宇航事業(yè)，特別是阿波羅號登月，不僅精密機械加工和電子控制儀器要求凈化，而且為了從月球帶回巖石，對容器，工具的潔凈度有嚴格要求，其加工環(huán)境必須超凈，因而帶動潔凈室技術和設備的大發(fā)展，出現(xiàn)了層流技術和百級潔凈室，出現(xiàn)了第一個潔凈室標準。
第三階段，1970年1K位的集成電路進入大生產(chǎn)時期，中國不久也開始集成電路會戰(zhàn)，使?jié)崈羰壹夹g得以騰飛。日本從20世紀60年代初到70年代空氣潔凈技術產(chǎn)品迅猛發(fā)展，1971年突然急劇降到低谷，但次年又突然飛速發(fā)展起來。這還和藥品生產(chǎn)對潔凈室的需求進人新階段有關，因為1969年世界衛(wèi)生組織正式制訂了GMP(藥品生產(chǎn)質量管理規(guī)范).
第四階段，20世紀80年代大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展進一步促進空氣潔凈技術的發(fā)展，其中集成電路上的最細光刻線條寬度進入2~3m.20世紀70年代末和80年代初，美國，日本研制成了0.1pm級超高效過濾器，于是既對潔凈室提出高要求，也有了高手段。1985年，日，美，西歐凈化產(chǎn)品總值約29億美元，1988年達到73億美元，到20世紀80年代末僅日本就突破5000億日元即35億美元。
第五階段，即20世紀90年代之后。
1超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)取得了新發(fā)展，20世紀80年代集成電路最細光刻線
條寬度在微米級，而80年代末和進人90年代則達到亞微米級，到20世紀末要求為0.1~0.2pm，集成度達IKM。這是什么意思?剛才說過，1970年1K位電路進人大生產(chǎn)，相當于約20mm2大的硅片上有2萬個左右元件，到了1986年1M集成度時，就相當于有200萬個元件，到1KM集成度時就可能有20億個元件集中在一塊硅片上，
表1-1 半導體芯片的發(fā)展
代表產(chǎn)品